——由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间，起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。采用高k栅介质和金属栅极材料，是自20世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破。虽然不是所有的金属都适用金属栅极，但是Intel公司的研究人员声称他们已经发现了两种金属——一种N型，另一种为P型——可以和高介电常数（k）电介质进行完美的匹配。Intel使用的是Gate-last工艺，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极。虽然英特尔可能已被打到了45纳米，但它的高k金属栅极堆叠技术是一个重大技术成就，将允许晶体管缩微进程在停滞了多年以后重新启动。